Samsung разработал оперативную память DDR5 на 512 ГБ

Компания Samsung Electronics объявила о разработке нового модуля оперативной памяти DDR5 емкостью 512 ГБ.

Желая продемонстрировать потенциал стандарта пятого поколения, производитель решил создать DRAM для суперкомпьютеров, систем искусственного интеллекта и машинного обучения. Модуль способен хранить 512 ГБ данных и может передавать их со скоростью до 7200 Мбит/с, что вдвое выше текущего показателя DDR4.

Таких характеристик удалось добиться за счет размещения на одной микросхеме восьми слоев оперативной памяти по 16 Гбайт и использования инновационной технологии High-K Metal Gate, которая ранее применялась компанией только в видеокартах.

В чипах на базе HKMG оксинитрид кремния заменяется гафнием, а металлы поликремниевыми электродами. Это повышает эффективность их работы и снижает энергопотребление на 13%, что имеет важное значение для дата-центров.

Новый модуль памяти Samsung будет совместим с процессорами Intel следующего поколения Sapphire Rapids Xeon Scalable.

Запоминающие устройства быстро совершенствуются, и недавно ученые разработали еще более эффективный и быстрый тип ячеек RAM, которые смогут работать с троичной системой счисления.