Компании Samsung и IBM совместно разработали новый тип микросхем на базе транзисторов с вертикальной ориентацией, которые потребляют на 85% меньше энергии. Партнеры сообщили о прорыве в области полупроводниковых чипов, позволяющий оптимизировать их либо в сторону сокращения энергопотребления, либо увеличения вычислительной мощности электронных устройств.
Это стало возможно за счет перпендикулярного расположения вертикальных транспортных полевых транзисторов (VTFET) по отношению к кристаллу, что обеспечивает более высокую плотность их размещения на единицу площади.
Такая конструкция позволяет использовать более крупные контакты для увеличения подачи электрического тока, а также изменять длину затворов и толщину изолирующих прокладок для
Читать на bitcryptonews.ru