Samsung начал массовое производство чипа оперативной памяти LPDDR5 объёмом в 12 ГБ (обновлено)

Компания Samsung объявила о старте массового производства высокоскоростной оперативной памяти LPDDR5 объёмом в 12 ГБ.

Чип построен по обновлённому 10-нанометрового техпроцессу. Его показатель записи составляет 5500 МБ/с. Это в 1.3 раза быстрее, чем у прошлой модели 12 ГБ LPDDR4X (4266 МБ/с). По словам компании, новая память способна передать 44 ГБ (12 фильмов в формате Full HD) всего за одну секунду. Также это модель стала на 30% энергоэффективней, благодаря изменённому дизайну электронной схемы.

Кроме анонса, Samsung ещё рассказал, что планирует в следующем году выпустить оперативную память для мобильных устройств с объёмом в 16 ГБ. 

Первым новый чип ОЗУ 12 ГБ LPDDR5 получит топовая модель смартфона Galaxy Note 10. Напомним, новинку должны представить 7 августа в Нью-Йорке.

Обновлено: по словам инсайдера, чип Snapdragon 855, на котором будет работать топовая версия Galaxy Note 10, не поддерживает памяти типа LPDDR5. Это значит, что фаблет навряд ли получит её.

<p dir=«ltr» lang=«en» xml:lang=«en»>I don’t know what the Samsung Exynos 9825 brings, but the Snapdragon 855(+) definitely doesn’t support LPDDR5-RAM (at least according to the specsheet). So anyone speculating the #GalaxyNote10 uses the new 12 Gb LPDDR5 modules Samsung announced today, is likely wrong.

— Roland Quandt (@rquandt) 18 июля 2019 г.