Намагниченность электронной памяти переключили Т-лучами за 3 пикосекунды

Намагниченность электронной памяти переключили Т-лучами за 3 пикосекунды

Группа исследователей из нескольких стран, в том числе и России (МФТИ), смогла разработать новую технологию записи информации в электронную память. При этом сама память будет работать быстрее нынешних твердотельных накопителей, а на запись данных будет уходить на порядок меньше энергии.

Российские ученые из МФТИ в сотрудничестве с зарубежными коллегами создали новый способ записи данных на жесткие диски. Для этого применялся прототип носителя, созданный на базе ортоферрита туллия (TmFеО3), на который воздействовали с помощью Т-излучения (данный терагерцовый диапазон короче радиоволн, но длиннее инфракрасного излучения).

В результате исследователи смогли добиться переключения спинов частиц ортоферрита туллия, затратив на это минимум времени (около 3 пикосекунд) и энергии. На основе данной технологии возможно, как полагают ученые, создать новые устройства хранения данных вместо нынешних винчестеров и твердотельных накопителей. При этом устройства нового поколения будут работать в разы быстрее существующего оборудования и потреблять на порядок меньше энергии.

Источник

Это также будет Вам интересно:
iMag.one - Самые важные новости достойные вашего внимания из более чем 300 изданий!